Beschreibung
Halbleiterdehnungsmessgeräte: Überblick und Anwendungen
Semiconductor -Dehnungsmessgeräte nutzen die piezoresistiven Eigenschaften von Materialien wieSiliziumoderGermaniumum die Belastung zu messen. Im Gegensatz zu herkömmlichen metallischen Folienmessgeräten bieten sie eine deutlich höhere Empfindlichkeit, sind jedoch mit Kompromisse bei Linearität und Temperaturstabilität verbunden.
Vergleich mit metallischen Folienmessgeräten
| Besonderheit | Halbleitermessgeräte | Metallische Folienmessgeräte |
|---|---|---|
| Empfindlichkeit | Sehr hoch | Niedrigem Mitte |
| Temperaturstabilität | Arm (erfordert eine Entschädigung) | Gut |
| Linearität | Moderat (nichtlinear bei hoher Belastung) | Exzellent |
| Haltbarkeit | Zerbrechlich | Robust |
| Kosten | Hoch | Niedrig |
Merkmale
- Hohe Empfindlichkeit: Ideal zum Erkennen von winzigen Deformationen (z. B. in MEMS -Geräten oder biomedizinischen Sensoren).
- Miniaturisierung: Kann im Mikroskala zur Integration in kompakte Systeme (z. B. Drucksensoren in Smartphones) hergestellt werden.
- Schnelle Antwort: Geeignet für hochfrequente dynamische Messungen.
- Niedriger Stromverbrauch: Nützlich in batteriebetriebenen Geräten.
Technische Daten
Halbleiter -Dehnungsmesseigenschaften
|
Modellnummer |
SYP -15 |
SYP -30 |
SYP -60 |
SYP -120 |
SYP -350 |
SYP -600 |
SYP -1000 |
|
Gage -Widerstand (ω) |
15±5% |
30±5% |
60±5% |
120±5% |
350±5% |
600±5% |
1000±5% |
|
Code |
B,C |
B,C |
B,C |
A,B,C |
B,C |
C |
C,D |
|
Konstruktion |
0,F2,F3,F4,F5 |
0,F2,F3,F4,F5 |
0,F2,F3,F4,F5 |
0,F2,F3,F4,F5 |
0,F2,F3,F4,F5 |
0,F2,F3,F4,F5 |
C:0,F2,F3,F4,F5 |
|
K |
100 |
100 |
120 |
A:150 |
150 |
200 |
C:200 |
|
TCR (%\/ Grad) |
0.10 |
0.10 |
0.15 |
0.13 |
0.30 |
0.45 |
C:0.40 |
|
TCGF (%\/ Grad) |
-0.12 |
-0.12 |
-0.18 |
A:-0.35 |
-0.35 |
-0.48 |
C:-0.48 |
|
Maximaler Betriebsstrom (MA) |
50 |
50 |
50 |
A:20 |
30 |
20 |
20 |
|
Dehnungsgrenzen (Mε) |
5000 |
5000 |
5000 |
5000 |
5000 |
5000 |
5000 |
Dimension
|
Halbleiterdehnungsmesser (ohne Substrat) |
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|
Code |
Konfiguration |
Größe (mm) |
Gage -Widerstand |
|
A |
|
1.27×0.22×(0.020~0.030) |
15Ω,30Ω,60Ω,120Ω |
|
B |
|
3.8×0.22×(0.020~0.030) |
15Ω,30Ω,60Ω,120Ω,350Ω |
|
C |
 |
4.7×0.22×0.02 |
15Ω,30Ω,60Ω,120Ω,350Ω,600Ω,1000Ω |
|
D |
|
6×0.22×0.02 |
1000Ω |
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① Die Kupferdrahtlänge des Halbleiterdehnungsstamms (ohne Substrat) ist kürzer als 6 mm; |
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Beispiel: Syp 1000 C f3
Explicate: P-Si-Halbleiter-Dehnung Gage
Widerstand: 1000 Ω;
K: 200;
Silizium: 4.7 × 0. 22 × 0. 02;
Substratgröße: 7 × 4.
Anwendungen:
- Nichtlineare Kompensation des Foliensensors
- Maschinenluftfahrtschiffe Brücken
- Mikrodrucksensor
Notiz:Wenn es andere Anforderungen gibt oder die Größe des Substrats oder der Siliziumstreifen im Vertrag angegeben werden muss
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